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PBRP123YT,215  与  BCR 553 E6327  区别

型号 PBRP123YT,215 BCR 553 E6327
唯样编号 A-PBRP123YT,215 A-BCR 553 E6327
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 PBRP123YT Series 40 V 600 mA Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 2.2k Ohms
功率耗散Pd 250mW 330mW
特征频率fT - 150MHz
产品特性 - 带阻/预偏置
集电极-射极饱和电压 -750mV -300mV
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
VCBO -40V -50V
工作温度 -65°C~150°C -65°C~150°C
系列 - BCR553
VEBO -5V -
尺寸 2.9*1.3*1 -
集电极连续电流 -600mA -500mA
直流电流增益hFE 230 40
集电极-发射极最大电压VCEO -40V -50V
晶体管类型 PNP PNP
R1 - 2.2k Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PBRP123YT,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW -40V -600mA -750mV 230 PNP

暂无价格 0 当前型号
DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW -50V -500mA 56 200MHz PNP

暂无价格 0 对比
DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW -50V -500mA 56 200MHz PNP

暂无价格 0 对比
BCR 555 E6433 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-23 330mW -50V -500mA -300mV 70 150MHz PNP 带阻/预偏置

暂无价格 0 对比
BCR 553 E6327 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-23 330mW -50V -500mA -300mV 40 150MHz PNP 带阻/预偏置

暂无价格 0 对比
BCR 555 E6327 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-23 330mW PNP -50V -500mA -300mV 70 150MHz 车规-带阻/预偏置

暂无价格 0 对比

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